DMNH6012SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
NOVA partie #:
312-2273068-DMNH6012SPSQ-13
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
DMNH6012SPSQ-13
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerDI5060-8 | |
| Numéro de produit de base | DMNH6012 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35.2 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1926 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.6W (Ta) | |
| Autres noms | DMNH6012SPSQ-13DICT DMNH6012SPSQ-13DITR DMNH6012SPSQ-13-ND DMNH6012SPSQ-13DIDKR |
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