ISZ0602NLSATMA1

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TRENCH 40<-<100V PG-TSDSON-8

NOVA partie #:

312-2294435-ISZ0602NLSATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

ISZ0602NLSATMA1

Paquet Standard:

5,000

Fiche technique:

N-Channel 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TSDSON-8-26
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™ 5
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	12A (Ta), 64A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 29µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1860 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.1W (Ta), 60W (Tc)
Autres noms	448-ISZ0602NLSATMA1TR SP005430392 448-ISZ0602NLSATMA1DKR 448-ISZ0602NLSATMA1CT