TSM70N10CP ROG

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Taiwan Semiconductor Corporation
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Numéro de produit de base	TSM70
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	145 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	120W (Tc)
Autres noms	TSM70N10CP ROGCT-ND TSM70N10CPROGDKR TSM70N10CPROGCT TSM70N10CP ROGTR TSM70N10CPROGTR TSM70N10CP ROGTR-ND TSM70N10CP ROGCT TSM70N10CP ROGDKR-ND TSM70N10CP ROGDKR

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