IPP80N08S2L07AKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
NOVA partie #:
312-2289745-IPP80N08S2L07AKSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPP80N08S2L07AKSA1
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-1 | |
| Numéro de produit de base | IPP80N08 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 233 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 75 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 300W (Tc) | |
| Autres noms | IPP80N08S2L07 SP000219050 IPP80N08S2L-07 IPP80N08S2L-07-ND IFEINFIPP80N08S2L07AKSA1 2156-IPP80N08S2L07AKSA1 |
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