IPP024N06N3GXKSA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3
Numéro de produit de base	IPP024
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 196µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	275 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23000 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	250W (Tc)
Autres noms	IPP024N06N3 G IPP024N06N3G SP000680764 2156-IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3 G-ND IFEINFIPP024N06N3GXKSA1

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