IXFT220N20X3HV

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MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV

NOVA partie #:

312-2283918-IXFT220N20X3HV

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXFT220N20X3HV

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 200 V 220A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-268HV (IXFT)
Numéro de produit de base	IXFT220
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HiPerFET™, Ultra X3
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	220A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	204 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13600 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	960W (Tc)