DMN2550UFA-7B

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Diodes Incorporated
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	X2-DFN0806-3
Numéro de produit de base	DMN2550
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	600mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.88 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	3-XFDFN
Vg (Max)	±8V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	52.5 pF @ 16 V
Dissipation de puissance (maximale)	360mW (Ta)
Autres noms	DMN2550UFA-7BDITR DMN2550UFA-7BDI DMN2550UFA-7BDIDKR DMN2550UFA-7BDICT

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