IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
NOVA partie #:
312-2279831-IXFT60N65X2HV
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFT60N65X2HV
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-268HV (IXFT) | |
| Numéro de produit de base | IXFT60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6300 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 780W (Tc) | |
| Autres noms | -IXFT60N65X2HV |
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