NTB25P06T4G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
NOVA partie #:
312-2263245-NTB25P06T4G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTB25P06T4G
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D²PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D²PAK | |
| Numéro de produit de base | NTB25 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 27.5A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±15V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 120W (Tj) | |
| Autres noms | NTB25P06T4GOS NTB25P06T4GOSTR NTB25P06T4GOSCT NTB25P06T4GOS-ND ONSONSNTB25P06T4G 2156-NTB25P06T4G-OS NTB25P06T4GOSDKR |
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