G3R45MT17K

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SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

NOVA partie #:

312-2263635-G3R45MT17K

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

G3R45MT17K

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 1700 V 61A (Tc) 438W (Tc) Through Hole TO-247-4

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-247-4
Numéro de produit de base	G3R45
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Série	G3R™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	61A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	182 nC @ 15 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-247-4
Vg (Max)	±15V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	1700 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4523 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (maximale)	438W (Tc)
Autres noms	1242-G3R45MT17K