NVMJS1D5N04CLTWG

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-LFPAK
Numéro de produit de base	NVMJS1
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	38A (Ta), 200A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-1205, 8-LFPAK56
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.8W (Ta), 110W (Tc)
Autres noms	NVMJS1D5N04CLTWGOS NVMJS1D5N04CLTWGOS-ND NVMJS1D5N04CLTWGOSTR NVMJS1D5N04CLTWGOSCT NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR

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