SI4435DDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
NOVA partie #:
312-2282640-SI4435DDY-T1-E3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4435DDY-T1-E3
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 30 V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC | |
| Numéro de produit de base | SI4435 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 9.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | |
| Autres noms | SI4435DDY-T1-E3-ND SI4435DDY-T1-E3DKR SI4435DDY-T1-E3CT SI4435DDYT1E3 SI4435DDY-T1-E3TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SI4435DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
FM24CL64B-GTRCypress Semiconductor Corp
2N7002LT1Gonsemi
1N4148WSDiotec Semiconductor
MBRS140T3Gonsemi
RS3E075ATTBRohm Semiconductor
SI4435DYTRPBFInfineon Technologies
AT25SF081B-SSHD-TAdesto Technologies
SI4435DYonsemi
MMBT2907A-TPMicro Commercial Co
