SI3457CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
NOVA partie #:
312-2284990-SI3457CDV-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI3457CDV-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 30 V 5.1A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-TSOP | |
| Numéro de produit de base | SI3457 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 4.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2W (Ta), 3W (Tc) | |
| Autres noms | SI3457CDV-T1-GE3-ND SI3457CDV-T1-GE3CT SI3457CDV-T1-GE3TR SI3457CDVT1GE3 SI3457CDV-T1-GE3DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
TXS0102DCURTexas Instruments
SI3417DV-T1-GE3Vishay Siliconix- SI3457CDV-T1-E3Vishay Siliconix
- SI3421DV-T1-GE3Vishay Siliconix
RF4E080GNTRRohm Semiconductor
KBU8G-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes Division
REF5050AIDRTexas Instruments
