IPW60R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
NOVA partie #:
312-2293856-IPW60R190E6FKSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPW60R190E6FKSA1
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3-1 | |
| Numéro de produit de base | IPW60R190 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 600 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 151W (Tc) | |
| Autres noms | IPW60R190E6 SP000797384 IPW60R190E6-ND |
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