SI7415DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
NOVA partie #:
312-2281813-SI7415DN-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI7415DN-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 60 V 3.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
| Numéro de produit de base | SI7415 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 5.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.5W (Ta) | |
| Autres noms | SI7415DNT1GE3 SI7415DN-T1-GE3CT SI7415DN-T1-GE3DKR SI7415DN-T1-GE3TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
1N5819HW-7-FDiodes Incorporated
SI7308DN-T1-E3Vishay Siliconix
MMBT3904,215Nexperia USA Inc.
SI1012CR-T1-GE3Vishay Siliconix
AQY212GSPanasonic Electric Works- SI7415DN-T1-E3Vishay Siliconix
PMEG6020ER,115Nexperia USA Inc.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay Siliconix
LD39050PU33RSTMicroelectronics
VN10LFTADiodes Incorporated
NTTFS5116PLTAGonsemi
CMD12-21SRC/TR8Visual Communications Company - VCC
