SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
NOVA partie #:
312-2280533-SCT2H12NYTB
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SCT2H12NYTB
Paquet Standard:
400
Fiche technique:
N-Channel 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-268 | |
| Numéro de produit de base | SCT2H12 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vg (Max) | +22V, -6V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1700 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 44W (Tc) | |
| Autres noms | SCT2H12NYTBTR SCT2H12NYTBCT SCT2H12NYTBDKR |
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