BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
NOVA partie #:
312-2282427-BSZ100N06NSATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSZ100N06NSATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL | |
| Numéro de produit de base | BSZ100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1075 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) | |
| Autres noms | BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 BSZ100N06NSATMA1CT BSZ100N06NSATMA1DKR BSZ100N06NSATMA1-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NCV7329D10R2Gonsemi
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon Technologies
BSC059N04LSGATMA1Infineon Technologies
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon Technologies- BSZ042N06NSATMA1Infineon Technologies
NCV7342MW3R2Gonsemi
BSC123N08NS3GATMA1Infineon Technologies
NCV380HMUAJAATBGonsemi- NCV7344MW3R2Gonsemi
NCV7240BDPR2Gonsemi- NCV7428D15R2Gonsemi
BTS70202EPAXUMA1Infineon Technologies
