TN5335K1-G
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
NOVA partie #:
312-2287998-TN5335K1-G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TN5335K1-G
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Numéro de produit de base | TN5335 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 110mA (Tj) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 3V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 350 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 360mW (Ta) | |
| Autres noms | TN5335K1-GTR TN5335K1-GCT TN5335K1-GDKR TN5335K1-G-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
TP5335K1-GMicrochip Technology
MIC5281-5.0YMMEMicrochip Technology