FDS5672

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MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

NOVA partie #:

312-2282678-FDS5672

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FDS5672

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FDS56
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta)
Autres noms	FDS5672-ND FDS5672TR 2156-FDS5672-OS FDS5672DKR FAIFSCFDS5672 FDS5672CT