FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
NOVA partie #:
312-2264265-FDD1600N10ALZ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDD1600N10ALZ
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252AA | |
| Numéro de produit de base | FDD1600 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 3.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 14.9W (Tc) | |
| Autres noms | FDD1600N10ALZCT FDD1600N10ALZDKR ONSONSFDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZTR 2156-FDD1600N10ALZ-OS |
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