STB35N65M5
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
NOVA partie #:
312-2293442-STB35N65M5
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
STB35N65M5
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D2PAK | |
| Numéro de produit de base | STB35 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | MDmesh™ V | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 27A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 13.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±25V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 160W (Tc) | |
| Autres noms | 497-10565-6 -497-10565-6 497-10565-2 497-10565-1 -497-10565-2 -497-10565-1 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
STB38N65M5STMicroelectronics
STB32N65M5STMicroelectronics