APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
NOVA partie #:
312-2264650-APT9M100S
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
APT9M100S
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D3PAK | |
| Numéro de produit de base | APT9M100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | POWER MOS 8™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1000 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2605 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 335W (Tc) | |
| Autres noms | 150-APT9M100S |
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