SQA410EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
NOVA partie #:
312-2285390-SQA410EJ-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQA410EJ-T1_GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 20 V 7.8A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single | |
| Numéro de produit de base | SQA410 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 7.8A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 13.6W (Tc) | |
| Autres noms | SQA410EJ-T1-GE3-ND SQA410EJ-T1_GE3-ND SQA410EJ-T1_GE3CT SQA410EJ-T1_GE3TR SQA410EJ-T1-GE3 SQA410EJ-T1_GE3DKR |
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