SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
NOVA partie #:
312-2285620-SI7129DN-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI7129DN-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
| Numéro de produit de base | SI7129 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 14.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3345 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) | |
| Autres noms | SI7129DN-T1-GE3DKR SI7129DN-T1-GE3CT SI7129DN-T1-GE3-ND SI7129DN-T1-GE3TR SI7129DNT1GE3 |
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