SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
NOVA partie #:
312-2280561-SUD50N04-8M8P-4GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252AA | |
| Numéro de produit de base | SUD50 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 50A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 20 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) | |
| Autres noms | SUD50N04-8M8P-GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND SUD50N04-8M8P-4GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3TR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND SUD50N048M8P4GE3 SUD50N04-8M8P-GE3TR-ND SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-4GE3TR |
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