SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
NOVA partie #:
312-2280561-SUD50N04-8M8P-4GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Paquet Standard:
2,500

N-Channel 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-252AA
Numéro de produit de base SUD50
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieTrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 14A (Ta), 50A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Autres nomsSUD50N04-8M8P-GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND
SUD50N04-8M8P-4GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3TR
SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND
SUD50N048M8P4GE3
SUD50N04-8M8P-GE3TR-ND
SUD50N04-8M8P-4GE3DKR
SUD50N04-8M8P-GE3DKR
SUD50N04-8M8P-4GE3TR

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