STB33N65M2

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	STMicroelectronics
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	D²PAK (TO-263)
Numéro de produit de base	STB33
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	MDmesh™ M2
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	41.5 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±25V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1790 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale)	190W (Tc)
Autres noms	497-15457-2 497-15457-1 497-15457-6

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