SI3445DV

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

P-CHANNEL MOSFET

NOVA partie #:

312-2268172-SI3445DV

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI3445DV

Paquet Standard:

Fiche technique:

P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SuperSOT™-6
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	5.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vg (Max)	±8V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1926 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	800mW (Ta)
Autres noms	FAIFSCSI3445DV 2156-SI3445DV