SQJ488EP-T1_BE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
NOVA partie #:
312-2296888-SQJ488EP-T1_BE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQJ488EP-T1_BE3
Paquet Standard:
3,000
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Numéro de produit de base | SQJ488 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 42A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 7.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 978 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 83W (Tc) | |
| Autres noms | 742-SQJ488EP-T1_BE3CT 742-SQJ488EP-T1_BE3TR 742-SQJ488EP-T1_BE3DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SQJ488EP-T1_GE3Vishay Siliconix