IXFP7N100P

MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
NOVA partie #:
312-2312102-IXFP7N100P
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFP7N100P
Paquet Standard:
50
Fiche technique:

N-Channel 1000 V 7A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:IXYS
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220-3
Numéro de produit de base IXFP7N100
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHiPerFET™, Polar
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1000 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2590 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 300W (Tc)
Autres noms-IXFP7N100P

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