FDD6637

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK

NOVA partie #:

312-2281289-FDD6637

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FDD6637

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

P-Channel 35 V 13A (Ta), 55A (Tc) 3.1W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Numéro de produit de base	FDD663
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	13A (Ta), 55A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±25V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	35 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2370 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.1W (Ta), 57W (Tc)
Autres noms	FDD6637DKR ONSONSFDD6637 FDD6637TR FDD6637CT 2156-FDD6637-OS