IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
NOVA partie #:
312-2289835-IMBF170R450M1XTMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IMBF170R450M1XTMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 1700 V 9.8A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7 | |
| Numéro de produit de base | IMBF170 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | CoolSiC™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9.8A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 12V, 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 2A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 2.5mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 12 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vg (Max) | +20V, -10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1700 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 1000 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 107W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IMBF170R450M1XTMA1TR 448-IMBF170R450M1XTMA1DKR 448-IMBF170R450M1XTMA1CT SP002739682 |
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