SIRA84DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
NOVA partie #:
312-2272451-SIRA84DP-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIRA84DP-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 34.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
| Numéro de produit de base | SIRA84 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® Gen IV | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 | |
| Vg (Max) | +20V, -16V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1535 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 34.7W (Tc) | |
| Autres noms | SIRA84DP-T1-GE3TR SIRA84DP-T1-GE3CT SIRA84DP-T1-GE3DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
STL30P3LLH6STMicroelectronics
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and Storage
A700D566M010ATE015KEMET
SIR178DP-T1-RE3Vishay Siliconix
