TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
NOVA partie #:
312-2273323-TPC6111(TE85L,F,M)
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TPC6111(TE85L,F,M)
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | VS-6 (2.9x2.8) | |
| Numéro de produit de base | TPC6111 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSV | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 700mW (Ta) | |
| Autres noms | TPC6111TE85LFDKR TPC6111(TE85L,F) TPC6111TE85LFDKR-ND TPC6111TE85LFCT TPC6111TE85LFTR TPC6111(TE85LFM)CT TPC6111(TE85LFM)TR TPC6111(TE85LFM)DKR TPC6111TE85LFCT-ND TPC6111TE85LFTR-ND TPC6111TE85LFM |
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