IPB039N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
NOVA partie #:
312-2283043-IPB039N10N3GATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB039N10N3GATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-7 | |
| Numéro de produit de base | IPB039 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 160A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 160µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 214W (Tc) | |
| Autres noms | SP000482428 IPB039N10N3 GCT-ND IPB039N10N3 GTR-ND IPB039N10N3 GTR IPB039N10N3GATMA1TR IPB039N10N3 GDKR IPB039N10N3 G IPB039N10N3G IPB039N10N3 GCT IPB039N10N3 GDKR-ND IPB039N10N3 G-ND IPB039N10N3GATMA1CT IPB039N10N3GATMA1DKR |
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