SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
NOVA partie #:
312-2282027-SI4401DDY-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4401DDY-T1-GE3
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 40 V 16.1A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC | |
| Numéro de produit de base | SI4401 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 16.1A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3007 pF @ 20 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) | |
| Autres noms | SI4401DDY-T1-GE3TR SI4401DDY-T1-GE3DKR SI4401DDYT1GE3 SI4401DDY-T1-GE3CT |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SI52147-A01AGMRSkyworks Solutions Inc.
SI53340-B-GMRSkyworks Solutions Inc.
FDS4141onsemi
STS10P4LLF6STMicroelectronics
INA193AMDBVREPTexas Instruments
SQ4401EY-T1_GE3Vishay Siliconix
DRV8353HMRTATTexas Instruments
DMP4015SSS-13Diodes Incorporated
