DMT8012LK3-13

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Diodes Incorporated
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252-3
Numéro de produit de base	DMT8012
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	44A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1949 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.7W (Ta)
Autres noms	DMT8012LK3-13DITR DMT8012LK3-13DICT DMT8012LK3-13DIDKR

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