ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
NOVA partie #:
312-2302100-ISP12DP06NMXTSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
ISP12DP06NMXTSA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
P-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 | |
| Numéro de produit de base | ISP12DP06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 520µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | |
| Autres noms | SP004987268 |
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