NTMS5P02R2G
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
NOVA partie #:
312-2292363-NTMS5P02R2G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTMS5P02R2G
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC | |
| Numéro de produit de base | NTMS5 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.95A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | ±10V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 16 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 790mW (Ta) | |
| Autres noms | 2156-NTMS5P02R2G-OS ONSONSNTMS5P02R2G =NTMS5P02R2GOSCT-ND NTMS5P02R2GOS NTMS5P02R2GOS-ND NTMS5P02R2GOSDKR NTMS5P02R2GOSTR NTMS5P02R2GOSCT |
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