BSC110N15NS5ATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-7
Numéro de produit de base	BSC110
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	76A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.6V @ 91µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	150 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2770 pF @ 75 V
Dissipation de puissance (maximale)	125W (Tc)
Autres noms	BSC110N15NS5ATMA1-ND SP001181418 BSC110N15NS5ATMA1CT BSC110N15NS5ATMA1DKR BSC110N15NS5ATMA1TR

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