CSD18510KCS

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MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3

NOVA partie #:

312-2289012-CSD18510KCS

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

CSD18510KCS

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 40 V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Numéro de produit de base	CSD18510
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11400 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	250W (Ta)
Autres noms	296-47695 CSD18510KCS-ND