SIHP25N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
NOVA partie #:
312-2283378-SIHP25N40D-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIHP25N40D-GE3
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB | |
| Numéro de produit de base | SIHP25 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 400 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1707 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 278W (Tc) | |
| Autres noms | SIHP25N40DGE3 |
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