IPP045N10N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

NOVA partie #:

312-2263391-IPP045N10N3GXKSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPP045N10N3GXKSA1

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3
Numéro de produit de base	IPP045
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8410 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	214W (Tc)
Autres noms	SP000680794 IPP045N10N3 G-ND IPP045N10N3G IPP045N10N3 G