TK100A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
NOVA partie #:
312-2278422-TK100A10N1,S4X
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TK100A10N1,S4X
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220SIS | |
| Numéro de produit de base | TK100A10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSVIII-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 Full Pack | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 45W (Tc) | |
| Autres noms | TK100A10N1,S4X(S TK100A10N1S4X TK100A10N1,S4X-ND |
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