IRFSL4310ZPBF

IRFSL4310 - HEXFET POWER MOSFET
NOVA partie #:
312-2297081-IRFSL4310ZPBF
Pièce de fabricant non:
IRFSL4310ZPBF
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:International Rectifier
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-262
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 250W (Tc)
Autres nomsIFEIRFIRFSL4310ZPBF
2156-IRFSL4310ZPBF

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