SI7431DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
NOVA partie #:
312-2283300-SI7431DP-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI7431DP-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 200 V 2.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
| Numéro de produit de base | SI7431 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 174mOhm @ 3.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.9W (Ta) | |
| Autres noms | SI7431DP-T1-GE3-ND SI7431DPT1GE3 SI7431DP-T1-GE3DKR SI7431DP-T1-GE3TR SI7431DP-T1-GE3CT |
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