IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
NOVA partie #:
312-2290096-IRF5801TRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRF5801TRPBF
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Micro6™(TSOP-6) | |
| Numéro de produit de base | IRF5801 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 88 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2W (Ta) | |
| Autres noms | IRF5801TRPBFTR IRF5801TRPBFDKR IRF5801TRPBFCT IRF5801TRPBF-ND SP001570104 |
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