NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
NOVA partie #:
312-2264846-NTZS3151PT1G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTZS3151PT1G
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-563 | |
| Numéro de produit de base | NTZS3151 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-563, SOT-666 | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 458 pF @ 16 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 170mW (Ta) | |
| Autres noms | NTZS3151PT1GOSTR NTZS3151PT1GOSCT ONSONSNTZS3151PT1G NTZS3151PT1GOSDKR 2156-NTZS3151PT1G-OS |
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