BSC030N03MSGATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Numéro de produit de base	BSC030
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	21A (Ta), 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Autres noms	BSC030N03MSG+F30INCT-ND BSC030N03MSG+F30INTR BSC030N03MSG+F30INTR-ND BSC030N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC030N03MSGINTR-ND BSC030N03MSG+F30INDKR BSC030N03MSGATMA1CT BSC030N03MSGINTR BSC030N03MSG+F30 BSC030N03MSGINDKR-ND BSC030N03MSGINCT-ND BSC030N03MSGINDKR BSC030N03MSG+F30INDKR-ND BSC030N03MSG BSC030N03MSGXT BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND SP000311506 BSC030N03MSG+F30INCT BSC030N03MSGATMA1DKR BSC030N03MSGATMA1TR BSC030N03MSGINCT BSC030N03MS G

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