IXFH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
NOVA partie #:
312-2293404-IXFH34N65X2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFH34N65X2
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXTH) | |
| Numéro de produit de base | IXFH34 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3330 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 540W (Tc) | |
| Autres noms | IXFH34N65X2XINACTIVE IXFH34N65X2X IXFH34N65X2X-ND |
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