NVMFS5C604NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
NOVA partie #:
312-2283008-NVMFS5C604NLWFAFT1G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NVMFS5C604NLWFAFT1G
Paquet Standard:
1,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 287A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Numéro de produit de base | NVMFS5 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 287A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8900 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 200W (Tc) | |
| Autres noms | NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT NVMFS5C604NLWFAFT1GOSTR NVMFS5C604NLWFAFT1GOSDKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NTMFS5C604NLT1Gonsemi
LM5060Q1MMX/NOPBTexas Instruments
MBR0580S1-7Diodes Incorporated- NVMFS5C604NLAFT1Gonsemi
- NTMFS5H600NLT1Gonsemi
TPS7A1601AQDGNRQ1Texas Instruments- NVMFS5C604NLAFT3Gonsemi
INA237AIDGSRTexas Instruments
BAT54S-AU_R1_000A1Panjit International Inc.
